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  • 檢索結果:共5筆資料 檢索策略: "材料科學與工程系".dept (精準) and cdept.raw="材料科學與工程系" and cadvisor.raw="洪儒生"


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    1

    以三丁基磷及三甲基硼成長 矽薄膜摻雜層及其光電性質的研究
    • /96/ 碩士
    • 研究生: 賴宜呈 指導教授: 洪儒生
    • 本論文以平板式電漿輔助化學氣相沉積系統,成長矽薄膜摻雜層及非晶矽薄膜太陽能電池,分別以三丁基磷與三甲基硼為摻雜原料,成長n型及p型非晶矽薄膜、p型的非晶矽及p型微晶矽薄膜,並探討其光電性質。 在成長…
    • 點閱:316下載:0
    • 全文公開日期 2013/08/05 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    2

    大型高純度氧化鋁物件製程與其在NF3/Ar電漿蝕刻行為
    • /97/ 博士
    • 研究生: 林欽山 指導教授: 林舜天 洪儒生
    • 12吋半導體製程中之化學氣相沉積設備反應室內,所需之精密氧化鋁陶瓷,必須具備有高純度、能抵抗電漿環境中的侵蝕性氣體與300mm以上大尺寸物件的特性。所以,胚體成型的技術是一項重要課題,更需要鑽石工具…
    • 點閱:362下載:3
    • 全文公開日期 2013/12/23 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    以有機金屬化學氣相沉積技術合成氮化鎵結構之研究
    • /96/ 碩士
    • 研究生: 魏士軒 指導教授: 洪儒生
    • 本研究利用有機金屬化學氣相沈積方式,以三甲基鎵(TMGa)及氨氣(NH3)分別為其鎵源和氮源合成氮化鎵結構。在一維結構方面,使用鍍上金觸媒的Si(100)、藍寶石單晶及氮化鎵單晶為基材來沈積氮化鎵。…
    • 點閱:247下載:4

    4

    以電漿輔助化學氣相沈積法合成低介電係數膜及非晶矽薄膜之研究
    • /95/ 碩士
    • 研究生: 張鴻偉 指導教授: 洪儒生
    • 本論文以平板式電漿輔助化學氣相沉積系統為基礎,分為兩部分:第一部份為成長低介電係數薄膜,實驗採用一矽烷偶合劑γ-glycidoxypropyl-trimethoxysilane(γ-GPS)及辛氟甲…
    • 點閱:387下載:2

    5

    以TDF-TEOS為先驅物利用電漿輔助化學氣相沈積系統製備含矽氟/碳氟鍵結的低介電係數膜與薄膜附著力之分析
    • /93/ 碩士
    • 研究生: 林錦川 指導教授: 洪儒生
    • 本論文的實驗採用分子結構類似TEOS的含碳氫氟長鏈和矽氧烷分子先驅物十三氟-1,1,2,2-四氫辛烷基-三乙氧基矽烷 (tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl-t…
    • 點閱:317下載:0
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)
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